Sakelar Cepat Thyristor

Keterangan:

Thyristor sakelar cepat, dengan struktur dan simbol thyristor kontrol fasa yang sama, sedangkan karakteristik statis yang lebih baik, terutama karakteristik dinamis diperlukan oleh aplikasi frekuensi tinggi dari rangkaian penyearah, pemotongan, inverter, dan konversi frekuensi.Parameter dinamis dari thyristor cepat adalah kecepatan nyala cepat dan kecepatan ekspansi nyala, lebih sedikit biaya pemulihan balik, dan waktu mati pendek, tingkat kenaikan kritis tinggi dari arus keadaan aktif (di/dt) dan tingkat kritis kenaikan tegangan off-state (dv/dt).Arus pengenal thyristor cepat dalam frekuensi pengenal tidak berkurang atau berkurang sedikit ketika frekuensi meningkat.

Standar manufaktur thyristor fast switch dan teknologi pemrosesan RUNAU Electronics diperkenalkan dari AS sejak 1980-an, sebagai pelopor manufaktur thyristor di China, tim teknis RUNAU telah memperoleh pengetahuan mutakhir dan pengalaman manufaktur yang luas selama lebih dari 30 tahun.Pada dasar proses manufaktur tradisional, teknisi bakat dari RUNAU Electronics telah mengembangkan teknologi seni negara dalam pembuatan thyristor dengan fitur keunggulan produk Eropa, kualitas dan kinerja sangat meningkat, lebih banyak kemenangan besar dicapai dalam aplikasi elektronika daya, dan lebih banyak nilai diciptakan untuk mitra.

Perkenalan:

1. Chip

Chip thyristor yang diproduksi oleh RUNAU Electronics menggunakan teknologi sintered alloying.Wafer silikon dan molibdenum disinter untuk paduan dengan aluminium murni (99,999%) di bawah vakum tinggi dan lingkungan suhu tinggi.Pemberian karakteristik sintering merupakan faktor kunci yang mempengaruhi kualitas thyristor.Pengetahuan RUNAU Electronics selain mengelola kedalaman persimpangan paduan, kerataan permukaan, rongga paduan serta keterampilan difusi penuh, pola lingkaran cincin, struktur gerbang khusus.Pemrosesan khusus juga digunakan untuk mengurangi masa pakai pembawa perangkat, sehingga kecepatan rekombinasi pembawa internal sangat dipercepat, muatan pemulihan balik perangkat berkurang, dan akibatnya kecepatan peralihan ditingkatkan.Pengukuran tersebut diterapkan untuk mengoptimalkan karakteristik peralihan cepat, karakteristik keadaan aktif, dan properti lonjakan arus.Kinerja dan operasi konduksi thyristor dapat diandalkan dan efisien.

2. Enkapsulasi

Dengan kontrol yang ketat terhadap kerataan dan paralelisme wafer molibdenum dan paket eksternal, wafer chip dan molibdenum akan diintegrasikan dengan paket eksternal dengan erat dan lengkap.Hal tersebut akan mengoptimalkan ketahanan arus lonjakan dan arus hubung singkat yang tinggi.Dan pengukuran teknologi penguapan elektron digunakan untuk membuat film aluminium tebal pada permukaan wafer silikon, dan lapisan ruthenium yang dilapisi pada permukaan molibdenum akan sangat meningkatkan ketahanan lelah termal, waktu kerja thyristor sakelar cepat akan meningkat secara signifikan.

Spesifikasi teknis

1. Thyristor sakelar cepat dengan chip tipe paduan yang diproduksi oleh RUNAU Electronics, kisaran I_TAVdari 200A ke 4000A dan V_DRM/V_RRMdari 1200V ke 4500V.
2. I_GT, V_GTdan saya_Hadalah nilai uji pada 25 ℃, kecuali dinyatakan lain, semua parameter lainnya adalah nilai uji di bawah T_jm;
3. I²t=I²F SM×tw/2, tw= Lebar dasar arus setengah gelombang sinusoidal.Pada 50Hz, I²t=0,005I²FSM(A²S);
4. Pada 60Hz: I_FSM(8,3 ms)=I_FSM(10ms)×1.066,T_j=T_j;SAYA²t(8,3 ms)=I²t(10ms)×0,943,T_j=T_jm

Parameter: