Thyristor Kontrol Fase (Tipe Mengambang Bebas)

Keterangan:

Dengan berkembangnya peningkatan daya dan kapasitas peralatan konverter, khususnya transmisi HVDC, maka kapasitas daya output unit thyristor diminta untuk ditingkatkan, sehingga akan mengurangi jumlah instalasi thyristor dalam rangkaian koneksi seri dan paralel.Ukuran dan berat perangkat akan berkurang, investasi lebih rendah, bahkan arus dan bahkan tegangan akan direalisasikan dengan mudah, operasi yang andal dan nilai komersial akan meningkat secara signifikan.

Teknologi silikon mengambang bebas yang digunakan untuk memproduksi thyristor arus tinggi berdaya tinggi akan memenuhi persyaratan aplikasi standar tinggi.Dan pada Juli 2019, RUNAU Electronics berhasil mengembangkan thyristor 5200V dengan chip 5” dan memasok ke pelanggan yang diterapkan di proyek HVDC China.

Perkenalan:

1. Chip

Chip thyristor standar tinggi yang diproduksi oleh RUNAU Electronics menerapkan teknologi mengambang bebas.Ini diakui dengan baik sebagai teknologi terbaru dan matang untuk pembuatan thyristor tegangan tinggi daya tinggi.Ini diterapkan secara luas oleh manufaktur kelas dunia.

Proses difusi dioptimalkan dalam kepadatan dan lebar untuk meningkatkan resistansi tegangan, mengurangi penurunan tegangan pada keadaan, dan meningkatkan karakteristik pemicu & dinamis.Pola fotolitografi baru dirancang untuk menyempurnakan fitur di/dt dan dv/dt.Struktur kontak chip dibangun kembali untuk melindungi tepi wafer silikon dan permukaan katoda, kinerja tegangan balik akan sangat meningkat.

2. Enkapsulasi

Keuntungan dari teknologi silikon mengambang bebas adalah deformasi antara silikon dan wafer molibdenum sangat terkendali dan konsumsi wafer molibdenum berkurang.Sementara kerataan wafer silikon dan blok tembaga paket sangat dibutuhkan serta persyaratan paralelisme dan kekasaran lebih tinggi daripada teknologi chip paduan.Dengan peningkatan dan inovasi yang berkelanjutan, RUNAU Electronic telah mengatasi semua kesulitan dan hambatan teknis.Teknologi mengambang bebas, thyristor tegangan tinggi berdaya tinggi dengan kinerja andal dan solusi efisien komersial dikembangkan dan diberikan kepada klien.Kebanyakan dari mereka dipasang di penyearah yang dapat dikontrol daya tinggi, starter lunak tegangan tinggi, transmisi daya HVDC, traksi lokomotif, kompensasi daya reaktif dinamis, dan sistem aplikasi daya pulsa.

Spesifikasi teknis

1. Thyristor yang dikontrol fase dengan chip tipe paduan yang diproduksi oleh RUNAU Electronics, kisaran I_TAVdari 350A ke 5580A dan V_DRM/V_RRMdari 3400V ke 8500V.
2. I_GT, V_GTdan saya_Hadalah nilai uji pada 25 ℃, kecuali dinyatakan lain, semua parameter lainnya adalah nilai uji di bawah T_jm;
3. I²t=I²F SM×tw/2, tw= Lebar dasar arus setengah gelombang sinusoidal.Pada 50Hz, I²t=0,005I²FSM(A²S);
4. Pada 60Hz: I_FSM(8,3 ms)=I_FSM(10ms)×1.066,T_j=T_j;SAYA²t(8,3 ms)=I²t(10ms)×0,943,T_j=T_jm

Parameter: