Thyristor Kontrol Fase (Tipe Paduan)

Keterangan:

Thyristor, juga dikenal sebagai Silicon Control Rectifier (SCR), adalah perangkat semikonduktor berdaya tinggi yang terdiri dari tiga struktur PN.Dalam hal kinerja, thyristor tidak hanya memiliki konduktivitas searah, tetapi juga memiliki kemampuan kontrol yang lebih berharga daripada elemen penyearah silikon, yang hanya memiliki dua keadaan konduksi dan keadaan mati, untuk mengontrol daya besar dengan daya kecil, penguatan daya hingga ratusan atau ribuan kali.Reaksinya sangat cepat, hidup dan mati dalam hitungan mikro detik.Operasi non-kontak, tidak ada percikan api, tidak ada suara, sementara efisiensi tinggi dan biaya rendah.Oleh karena itu, terutama dalam sistem catu daya tinggi, thyristor telah banyak digunakan dalam rangkaian penyearah, sakelar bypass statis, sakelar output bebas kontak, dan sirkuit lainnya.

Standar manufaktur thyristor dan teknologi pemrosesan RUNAU Electronics diperkenalkan dari AS sejak 1980-an, sebagai pelopor manufaktur thyristor di China, tim teknis RUNAU telah memperoleh pengetahuan mutakhir dan pengalaman manufaktur yang luas selama lebih dari 30 tahun.Pada dasar proses manufaktur tradisional, teknisi berbakat dari RUNAU Electronics telah mengembangkan teknologi seni negara dalam pembuatan thyristor dengan fitur keunggulan produk Eropa, kualitas dan kinerja meningkat pesat, lebih banyak kemenangan besar dicapai dalam penerapan elektronika daya bidang, dan lebih banyak nilai diciptakan untuk mitra.

Perkenalan:

1. Chip

Chip thyristor yang diproduksi oleh RUNAU Electronics menggunakan teknologi sintered alloying.Wafer silikon dan molibdenum disinter untuk paduan dengan aluminium murni (99,999%) di bawah vakum tinggi dan lingkungan suhu tinggi.Pemberian karakteristik sintering merupakan faktor kunci yang mempengaruhi kualitas thyristor.Pengetahuan RUNAU Electronics selain mengelola kedalaman persimpangan paduan, kerataan permukaan, rongga paduan serta keterampilan difusi penuh, gerbang tengah, pola lingkaran cincin diterapkan untuk memungkinkan operasi konduksi thyristor yang andal dan efisien tinggi, untuk memastikan kinerja berkualitas tinggi.

2. Enkapsulasi

Dengan kontrol yang ketat terhadap kerataan dan paralelisme wafer molibdenum dan paket eksternal, wafer chip dan molibdenum akan diintegrasikan dengan paket eksternal dengan erat dan lengkap.Hal tersebut akan mengoptimalkan ketahanan arus lonjakan dan arus hubung singkat yang tinggi.Dan pengukuran teknologi penguapan elektron digunakan untuk membuat film aluminium tebal pada permukaan wafer silikon, dan lapisan rutenium yang dilapisi pada permukaan molibdenum akan sangat meningkatkan ketahanan lelah termal, waktu kerja thyristor akan meningkat secara signifikan.

Spesifikasi teknis

1. Thyristor yang dikontrol fase dengan chip tipe paduan yang diproduksi oleh RUNAU Electronics, kisaran I_TAVdari 300A ke 6000A dan V_DRM/V_RRMdari 800V ke 4400V.
2. I_GT, V_GTdan saya_Hadalah nilai uji pada 25 ℃, kecuali dinyatakan lain, semua parameter lainnya adalah nilai uji di bawah T_jm;
3. I²t=I²F SM×tw/2, tw= Lebar dasar arus setengah gelombang sinusoidal.Pada 50Hz, I²t=0,005I²FSM(A²S);
4. Pada 60Hz: I_FSM(8,3 ms)=I_FSM(10ms)×1.066,T_j=T_j;SAYA²t(8,3 ms)=I²t(10ms)×0,943,T_j=T_jm

Parameter: